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電子水處理器劑之冷卻水中的縫隙腐蝕

標(biāo)簽:電子,水處理,處理,處理器,冷卻,冷卻水,水中,中的 發(fā)布時(shí)間:2024年11月16日 點(diǎn)擊80

    縫隙腐蝕發(fā)生的機(jī)理
    傳統(tǒng)的理論認(rèn)為,縫隙腐蝕的發(fā)生是縫內(nèi)外氣濃差引起的局部宏觀腐蝕電池,繼而形成縫內(nèi)酸化和自催化推動(dòng)力。在縫隙腐蝕形成的初期,包括縫內(nèi)和縫外整個(gè)金屬外觀都遭受腐蝕。所有過(guò)水金屬外觀的水溶液中,消融氧的濃度是很接近的,氧在所有的金屬外觀去極化腐蝕的體現(xiàn)情勢(shì)是微觀腐蝕電池。經(jīng)過(guò)肯定時(shí)間以后,縫內(nèi)的氧氣為陰極還原而消費(fèi)殆盡,縫外的氧氣傳質(zhì)。
    同時(shí),縫外悉數(shù)過(guò)水金屬外觀氧還原的陰極反應(yīng)仍以原來(lái)的速度進(jìn)行。很顯明,氧濃差電池的形成是引起縫隙腐蝕的緣故原由,但并不直接引起腐蝕、舉動(dòng)的根本轉(zhuǎn)變,由于縫外金屬的暴露面積比縫內(nèi)大得多,氧本原的總量幾乎不變,所以縫內(nèi)外金厲腐蝕速度應(yīng)該相差不大,也就是說(shuō)縫內(nèi)陽(yáng)極過(guò)程應(yīng)該仍按原來(lái)差不多的速度進(jìn)行。但是隨著腐蝕過(guò)程的進(jìn)行武漢網(wǎng)站制作,縫內(nèi)蘊(yùn)蓄了許多的金屬離子,它們向縫外擴(kuò)散因縫口窄所以也很困難。如許縫內(nèi)過(guò)多的金屬離子必然產(chǎn)生過(guò)多的正電荷,因而引起兩個(gè)作用:一方面使陽(yáng)極反應(yīng)極化,在肯定時(shí)間內(nèi)和肯定程度上會(huì)降低陽(yáng)極反應(yīng)的速度,克制陽(yáng)離子產(chǎn)生的速度;另一方面形成下場(chǎng)部較強(qiáng)的電場(chǎng)。為了保持縫內(nèi)電荷平衡,遷移性強(qiáng)的陰離子在電場(chǎng)的作用下源源賡續(xù)地進(jìn)入縫內(nèi)。

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